Technology manufacturing electronic equipment

Technology manufacturing electronic equipment

 Head of the Department

 

 

 Kurbanov Saidislam Saidgazievich 

 

 

2. Faculty - Engineering Physics
3. The name of the department: Electronic equipment production technology
4. History of the department: The department "Electronic equipment production technology" was established in accordance with the Decree of the President of the Republic of Uzbekistan No.UP2524 of May 2, 2016 "On improving the activities of the Tashkent State Technical University”. The department began its activity in July 2016.
5. Code and title of the bachelor degree program: 5321900 - " Electronic equipment production technology". In this program for the 2016-2017 academic year, the first set of students was made and currently there are two groups.
5.1. Description of the professional activity of bachelor graduated the program 5321900 - " Electronic equipment production technology":
5.1.1 The bachelor’s professional activity fields includes methods of research, development, production, operation and processing of electronic equipment intended for various purposes and corresponding to the requirements of targeted use, reliability, energy design, operating conditions and economic factors.
5.1.2 Objects of the bachelor’s professional activity:
The objects of the bachelor’s professional activity are: electronic devices, planning of production, fabrication technological processes, technological methods and materials, technological, design, operational and program documents, methods and means of control, adjustment and test of electronic devices, methods and means to ensure the quality of products, the organization of service and repairing of electronic devices.
5.1.3 Professional activity of bachelors includes:
- design, production, adjustment and operation of electronic devices and systems, work in enterprises and institutions for the production, assembly and servicing of electronic equipment and devices;
- computer-aided design of electronic equipment, devices and systems and research methods for their design;
- production and adjustment of electronic equipment and devices, marketing of produced products;
- analysis, synthesis and optimization of design processes, quality assurance and certification of products;
- development of engineering calculations, algorithms and software for amplifiers, power supplies, generators and converters used in electronic equipment and devices;
- application of computer technologies and programs;
- design and development of operation conditions and principles of electronic equipment and devices;
5.1.4 Types of professional activity of bachelors:
• Scientific and research activities
• Production and technological activities
• Pedagogical activity
• Organizational and management activities

5.1.5 Professional adaptation of bachelors in this area:
Bachelors who complete this educational program after pedagogical retraining can teach special subjects in secondary special and vocational schools.

5.1.6. Possibilities for continuing education:
Bachelors can continue their studies in the MA courses in the following specialties:
- 5A321901 - Technology of production of electronic equipment;
- 5A321902 - Technological machinery and equipment for the electronics industry

Code and name of the specialties of the MA courses:
- 5A321901 - Technology of production of electronic equipment;
- 5A321902 - Technological machinery and equipment for the electronics industry

Currently, 6 students study at the department's MA courses.

Disciplines lecture at the department:
Undergraduate. 5321900 - Technology of production of electronic equipment:
- Materials and components of electronic devices
- Computer design of electrical circuits
- Electronics and optoelectronics
- Sensors and measuring systems
- Nanotechnology
- Circuitry
- Production technology of electronic equipment
- Programming of microcontrollers
- Microprocessor technology
- Power supply of electronic equipment
- Physics and technology of solar cells

Master course: 5A321901 - Technology of electronic equipment production

- Production of components and structural elements of electronic devices
- Micro and Nanotechnology
- Design and technology of electronic devices
- Instrumentation and diagnostic tools
-Master course: 5A321902 - Technological machinery and equipment for the electronics industry
- Physical fundamentals of electronic engineering
- Instrumentation and diagnostic tools
- Technology and equipment for the production of electronic products
- Control and reliability of electronic equipment

LIST
of publications of the Department staff for recent years
1. S. S. Kurbanov, H. C. Jeon, Z. Sh. Shaymardanov, R. Y. Rakhimov and T. W. Kang, Photoluminescence from porous textured ZnO films grown by chemical bath deposition, J. Luminescence, 170 (2016) 168–173.
2. Z. Sh. Shaymardanov, S. S. Kurbanov, R. Y. Rakhimov Effect of density packing on luminescence of amorphous SiO2 nanoparticles, Optics and Spectroscopy, 120 (2016) 922–925.
3. S. S. Kurbanov, T. W. Kang, Effect of ultraviolet-illumination and sample ambient on photoluminescence from zinc oxide nanocrystals, J. Luminescence, 158 (2015) 99-102.
4. U.B. Sharopov, B.G. Atabaev, R. Djabbarganov, M.K. Kurbanov «Kinetics of aggregations F2, F3, X and colloid centers in thin film LiF/Si(111) at low temperature annealing» Journal of Surface Investigation, X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 7 (2013) 195–199.
5. Suwan Mendis, Chin-Che Tin, Ilkham G. Atabaev, and Bakhtiyar G. Atabaev//The method of Solid State Impurity Diffusion and Doping In 4H-SiC// International Journal of Fundamental Physical Sciences (IJFPS), 3 (2013) 75-78,
6. S. S. Kurbanov, R. Yu. Rakhimov, Z. Sh. Shaymardanov, and T. W. Kang,,UV irradiation-induced modification of photonic band gap and birefringence in artificial opal nanocomposite, Optics Communications 285 (2012) 2642–2645.
7. S. S. Kurbanov, T. W. Kang, Photoluminescence studies of ZnO nanorods grown by vapor-phase transport method, Chapter 6, in Series book “Advances in Nanotechnology”, Volume 10, pp. 191-214 (2012). Novo Science Publishers. ISBN 978-1-62100-150-8.
8. S.S. Kurbanov, H.D. Cho, T.W. Kang, Effect of excitation and detection angles on photoluminescence spectrum from ZnO nanorod array, Optics Commun. 284 (2011) 240.
9. S.S. Kurbanov, W.C. Yang, and T.W. Kang, Kelvin Probe Force Microscopy of Defects in ZnO Nanocrystals Associated with Emission at 3.31 eV, Applied Physics Express 4 (2011) 021101.
10. S.S. Kurbanov and T.W. Kang, Effects of laser excitation power and temperature on the emission around 3.31 eV from ZnO nanocrystals and nanorods, J. Korean Phys. Soc, 58 (2011) 1284-1289.
11. S. S. Kurbanov, T. W. Kang, Photoluminescence studies of ZnO nanorods grown by vapor-phase transport method, Nanotechnology research journal, 4 (2011) 9-31.
12. I.G. Atabaev, T.M. Saliev, D.Saidov, V.A.Pak, Kh.Juraev, C.C. Tin,V. Adedeji, B.G. Atabaev, V.N. Giryanskiy., Influence of defect on low temperature diffusion of Boron in SiC, Material Science and Application, 2011, N6. p.45-48
13. У.Б.Шаропов, Б.Г.Атабаев, Р. Джаббарганов, М.К.Курбанов, М.М. Шарипов, Методика определения дефектов в распыленных кластерах ионных кристаллов, Поверхность. 2016, №2, 1-5.
14. Атабаев И.Г., Салиев Т.М., Атабаев Б.Г., Джаббарганов Р., Масс-спектры отрицательных вторичных ионов в процессе бомбардировке поверхности p/SiC<B> ионами Cs+, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2011, N8, с.96-101.
15. Атабаев Б.Г., Раджабов Ш.С., Курбанов М.К., Джаббарганов Р., Физическое и химически стимулированное распыление поверхности 3C-SiC при бомбардировке моно-Ar+ и кластерными ионами SF5+., Физика и химия обработки материалов, 2011, N4, с.18-25.
16. Атабаев Б.Г., Шаропов У.Б., Джаббарганов Р., Курбанов М.К., Кинетика агрегации F2, F3, X и коллоидных центров в пленке при низкотемпературном отжиге// Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2011, N7.
17. S. S. Kurbanov, T. W. Kang, Correlation among heat treatment induced defects and an emission line near 3.31 eV in ZnO nanocrystals, Uzbek Journal of Physics, 17(№4) (2015) 234-241.
18. У.Б.Шаропов, Б.Г.Атабаев, Р. Джаббарганов, М.К.Курбанов, М.М. Шарипов, Р.И. Бузруков, Б.А. Зияев// Дефекты в продуктах отрицательно- ионного распыления кристаллов LiF// Узбекский физический журнал. 2015, V.19. №5.с.10.
19. С. С. Курбанов, Р. Ю. Рахимов, З. Ш. Шаймарданов, М. А. Касымджанов, Влияние УФ излучения на положение фотонной запрещенной зоны и показатель преломления нанокомпозита на основе искусственного опала, O’zbekiston fizika jurnali, 16, №5 (2014) 370-375.
20. С. С. Курбанов, Искривление зон на поверхности нанокристаллов ZnO и тушение краевой люминесценции излучением из видимой области спектра, O’zbekiston fizika jurnali, 15 (2013) 44-49.
21. С. С. Курбанов, З.Ш. Шаймарданов, Р.Ю. Рахимов, Э.А. Захидов, М.А. Касымджанов, Пористая пленка ZnO, выращенная на алюминий содержащих подложках, O’zbekiston fizika jurnali, 14 (2012) 234-240.
22. С. С. Курбанов, З.Ш. Шаймарданов, Р.Ю. Рахимов, Стимулированное излучение с пространственно - ориентированных нанородов ZnO, Узбекский физический журнал. 14 (2012) 299-304.
23. У.Б Шаропов, Б. Г. Атабаев, Р. Джаббарганов, Д.Р. Джураев, К. Саидов// Исследование электронной и зонной структуры кристалла методами электронного и оптического поглощения, ДАН РУз, 2011, N1, с32-34.
24. Б. Г. Атабаев, У. Б. Шаропов, Р. Джаббарганов, М. К.Курбанов, Б. А. Зияев, Сравнительное исследование спектров полного тока поли и монокристаллов оксида цинка, Международная конференция по физике взаимодействию заряженных частиц с кристаллами. Москва. 2015. 26-28 май. с.136.
25. Utkirjon Sharopov, Bakhtiyar Atabaev, Ruzmat Djabbarganov, Muzaffar Kurbanov. Sputtering defects from surface ionic crystals with secondary clusters. //In: “9nd European Workshop on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS Europe 2014. September 7-9, 2014, Münster, Germany. Final Program and Book of Abstracts.” Münster. 2014. P.75.
26. Bakhtiyar Atabaev, Ruzmat Djabbarganov, Bakhtiyor Ziyaev. The secondary neutral mass spectrometry of silicon native oxide. //In: “9nd European Workshop on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS Europe 2014. September 7-9, 2014, Münster, Germany. Final Program and Book of Abstracts.” Münster. 2014. P.130.
27. U. B. Sharopov, B. G. Atabaev, R. Djabberganov, M. K. Kurbanov «Aggregations of F2, F3, X, and colloid centers in LiF/Si(111) films upon low-temperature annealing» Int. Conf. Proceedings “Radiation Effects in Insulators”, REI-17, Helsinki, Finland, 2013, p.75.
28. У. Б.Шаропов, Р. Джаббарганов, Б. Г. Атабаев, М.К. Курбанов. Методика определения дефектов в кластерах при распылении ионных кристаллов //XLIII Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва. 28 мая – 30 мая 2013 (стендовый доклад)
29. Б.Г.Атабаев, Р.Джаббарганов, В.Н.Гирянский, Ф.Р.Юзикаева. Температурный эффект отрицательно-ионного атомарного распыления жидких островков галлия при бомбардировке GaN ионами цезия. //XLIII Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва. 28 мая – 30 мая 2013 (стендовый доклад)
30. Vyacheslav Giryaskiy, Bakhtiyar Atabaev, Ruzmat Dzabbarganov. The energy and temperature dependencies of secondary ion emission of clusters GaN/SiC under cesium ion bombardment. European Workshop on Secondary Ion Mass Spectrometry SIMS Europe 2012, September 9-11 2012, Munster, Germany, p.125.
31. Bakhtiyar Atabaev, Ruzmat Dzabbarganov, Nilufar Saidkhanova, Firyuza Yuzikaeva. Neutral and negative ion cluster sputtering of 3C-SiC under cesium ion bombardment. European Workshop on Secondary Ion Mass Spectrometry SIMS Europe 2012, September 9-11 2012, Munster, Germany, p.124.
32. Б.Г.Атабаев, Р.Джаббарганов, У.Б.Шаропов, М.К.Курбанов, Н.Г.Саидханова Изучение отрицательно-ионных кластеров SIC при бомбардировке ионами CS+////XLII Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 29 мая – 31 мая 2012 (стендовый доклад).
33. B. Atabaev, R. Djabarganov, V. Giryanskiy, F. Yuzikaeva, The energy dependence of secondary ion emission of clusters GaN/SiC under bombardment by cesium ions, Proc.SIMS , Italy, 2011, Sept.
34. B. Atabaev, A. Lebedev, I. Atabaev, D. Jumabaev, R. Djabarganov, V. Giryanskiy, F.Yuzikaeva, The SIMS investigation of low temperature surface segregation on GaN/SiC, Proc.SIMS , Italy, 2011, Sept.
35. Sh.Q. Nematov, Z.Sh. Shaymardanov. Photo- and thermobleaching of luminescence centers in synthetic opals. NANO KOREA 2011, Seoul, Korea, 24-26 August 2011. Poster Presentation
36. I.G. Atabaev, Kh.Juraev, C.C. Tin, V. Adedeji, B.G.Atabaev, V.N. Giryanskiy, Mechanism of localized surface two-hole states during UV chemical etching of p-n SiC junctions, Proc.,Ion Surface Interaction , Moscow, ISI-2011, V2, p.210-213.
37. С. С. Курбанов, З. Ш. Шаймарданов, Р. Ю. Рахимов, Пленка ZnO:Al с текстурированной структурой возможный проводящий прозрачный материал для солнечных элементов, Материалы конференции НПО «Физика-солнце» АН РУз им. С. А. Азимова Институт материаловедения, 28-29 июня, Ташкент 2016, 150-151.
38. З. Ш. Шаймарданов, С. С. Курбанов, Р.Ю. Рахимов, Ш.З. Уролов «Исследование люминесцентных характеристик наноразмерных частиц аморфного SiO2» материалы докладов Республиканской научной конференции «ОПТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ В СОВРЕМЕННОЙ ФИЗИКЕ» 27-28 май г. Ташкент, 2016, стр. 15-18.
39. С. С. Курбанов, З. Ш. Шаймарданов, Р.Ю. Рахимов «Исследование трансформации слоистого основного ацетата цинка в оксид цинка» материалы докладов Республиканской научной конференции «ОПТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ В СОВРЕМЕННОЙ ФИЗИКЕ» 27-28 май г. Ташкент, 2016. стр. 7-9.
40. С. С. Курбанов, Ш.З. Уролов, З.Ш. Шаймарданов, Р.Ю. Рахимов «Проявление квантово-размерного эффекта в люминесценции нанородов оксида цинка, синтезированных различными методами» республиканской научной конференции «Современные проблемы физики конденсированного состояния - ‘СПФКС-2016’,12-14 апреля, г. Бухара, 2016, стр.24-25.
41. С. Курбанов, З. Шаймарданов, Р. Рахимов, Ш. Уролов, Усиленное спонтанное излучение массива упорядоченных нанородов оксида цинка, Международная конференция “Фундаментальные и прикладные вопросы физики”, Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” Академии наук Республики Узбекистан 21-22 октября 2015. Ташкент, Узбекистан. С. 254-256
42. З. Ш. Шаймарданов, С. С. Курбанов, М. А .Касымджанов, Влияние плотности упаковки наноразмерных частиц аморфного SiO2 на их люминесценцию, “Физика фанининг ривожида истеъдодли ёшларнинг ўрни” илмий-амалий конференция “IAK-VIII”, Тошкент, 2015 йил, 24-25-апрел, тезислар тўплами, 127 бет.
43. Sh. Z. Urolov, Z. Sh. Shaymardanov, S. S. Kurbanov, Uyg’otuvchi nur quvvatining ZnO nanorodlari matritsasi lyuminestsentsiyasiga ta’siri, “Физика фанининг ривожида истеъдодли ёшларнинг ўрни” илмий-амалий конференция “IAK-VIII”, Тошкент, 2015 йил, 24-25-апрел, тезислар тўплами 99 бет.
44. Р. Ю. Рахимов, С. С. Курбанов, Исследование медленной люминесценции искусственных опалов, индуцированной высокотемпературным отжигом. Труды Республиканской Конференции «Фундаментальные и прикладные вопросы физики» 5 ноября 2014 г., Ташкент.
45. З. Ш. Шаймарданов, С. С. Курбанов, Влияние способа очистки, температуры и УФ облучения на люминесценцию искусственного опала, Труды Республиканской Конференции «Фундаментальные и прикладные вопросы физики» 5 ноября 2014 г., Ташкент.
46. З.Ш. Шаймарданов., Ш.З. Уралов “Влияние температуры, УФ облучения и способа очистки на люминесценцию синтетического опала” Конференция молодых ученных Ташкент, Узбекистан, 28 ноября, 2013.
47. З. Ш. Шаймарданов, С. С. Курбанов, Проявление объемных и поверхностных центров свечения в спектре люминесценции синтетического опала» “6th International Physical Electronics Conference” IPEC-6. October 23-25, 2013, Tashkent, Uzbekistan.
48. Рахимов Р.Ю., Курбанов С.С., Шаймарданов З.Ш. «Исследование эффекта двойного лучепреломления в оптических стеклах и искусственных опалах под воздействием УФ облучения» 6th International Physical Electronics Conference, IPEC-6. October 23-25, 2013, Tashkent, Uzbekistan.
49. С. С. Курбанов Р. Ю. Рахимов, З. Ш. Шаймарданов, М. А. Касымджанов “Влияние УФ излучения на положение фотонной запрещенной зоны нанокомпозита на основе искусственного опала” “2ая МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ "ОПТИКА И ФОТОНИКА-2013, 25-27 сентября 2013 г., г. Самарканд, Узбекистан. сс. 46-49
50. С. С. Курбанов, З. Ш. Шаймарданов, Р. Ю. Рахимов, М. А. Касымджанов, Оптические характеристики прозрачной, проводящей пленки ZnO, выращенной методом химического осаждения из раствора» Международная конференция по актуальным проблемам молекулярной спектроскопии конденсированных сред. Самарканд, 29-31 Май 2013 г. С. 84.

                                                   

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 



 

 

 

 

 



 

 

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 



 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Contact us

2, Universty street, Tashkent, 100095, Uzbekistan

 Phone: +998712464600

Fax: +998712271032

E-mail: tstu_info@tdtu.uz

JoomShaper